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Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92. | ZTX853-ND

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Marca: SYSCOM
Modelo: ZTX853-ND
• Transistor NPN de silicio con 100 Vce
• Alta corriente de 4 Amperios
• Frecuencia de operación de 130 MHz
• Potencia media de 1.2 Watt
• Encapsulado compacto TO-92 industrial
• Temperatura operación -55 a +200 °C

$ 107.43 más IVA 107.43 MXN $ 107.43

Stock disponible: 3.0

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    Características Principales

    • Transistor NPN de silicio con 100 VCE
    • Alta corriente de 4 Amperios
    • Frecuencia de operación a 130 MHz
    • Potencia media de 1.2 Watt
    • Formato compacto TO-92
    Características Eléctricas
    • VCEO: 100 V
    • IC (continua): 4 A
    • fT: 130 MHz
    • Ptot: 1.2 W
    • hFE: 100-300
    • VCE(sat): 14-200 mV
    • VBE(sat): 960-1100 mV
    Características Mecánicas
    • Encapsulado: TO-92
    • Temperatura de operación: -55 a +200 °C
    • Resistencia térmica (Junto a Ambiente): 150 °C/W
    • Resistencia térmica (Junto a Carcasa): 50 °C/W
    Características de Voltaje
    • VCBO: 200 V
    • VCEO: 100 V
    • VEBO: 6 V
    • VCE(sat): 14-200 mV
    • VBE(sat): 960-1100 mV
    Características de Corriente
    • IC (continua): 4 A
    • IC (pico): 10 A
    • ICBO: 5-10 nA
    • IEBO: 10 nA
    Características de Frecuencia
    • fT: 130 MHz
    • ftest: 50 MHz
    Características de Conmutación
    • ton: 50 ns
    • toff: 1650 ns
    Características de Potencia
    • Ptot a 25°C: 1.2 W
    • Ptot práctica: 1.58 W

    Aplicaciones Típicas

    • Conmutación de alta corriente
    • Amplificación de RF
    • Circuitos de potencia media
    • Fuentes de alimentación
    • Control de motores
    • Circuitos de protección