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Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB. | MRF475

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Marca: SYSCOM
Modelo: MRF475
• Transistor NPN de potencia RF de silicio
• Frecuencia operativa hasta 30 MHz
• Tensión colector-emisor 13.6 VCC
• Corriente máxima 4.0 Amperios
• Potencia salida 10 Watt
• Paquete TO-220AB con configuración emisor común

$ 645.64 más IVA 645.64 MXN $ 645.64

Stock disponible: 3.0

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    Esta combinación no existe.

    Características Principales

    • Transistor NPN de potencia RF de silicio
    • Frecuencia operativa de hasta 30 MHz
    • Tensión de colector-emisor de 13.6 VCC
    • Capacidad de corriente de 4.0 Amperios
    • Potencia de salida máxima de 10 Watt
    Máximos Ratings
    • IC: 4.0 A
    • VCE: 18 V
    • VCB: 48 V
    • PD: 10 W @ TC = 25 °C
    • TSTG: -65 °C to +150 °C
    • TJ: -65 °C to +150 °C
    • θJ-C: 12.5 °C/W
    Características Eléctricas
    • BVCEO: 18 V @ IC = 20 mA
    • BVCES: 48 V @ IC = 50 mA
    • BVEBO: 4.0 V @ IE = 5.0 mA
    • ICBO: 1.0 mA @ VCB = 25 V
    • hFE: 30-60 @ VCE = 5.0 V, IC = 500 mA
    • Cob: 125-145 pF @ VCB = 13.6 V, f = 1.0 MHz
    • GP: 10-12 dB
    • η: 40% @ Pout = 12 W (PEP), VCC = 13.6 V, f = 2.0 MHz, ICQ = 300 mA
    • IMD: -30 dB
    Configuración Física
    • Paquete: TO-220AB (Common Emitter)
    • Conexiones: 1 = BASE, 2 = COLLECTOR, 3 = EMITTER TAB = COLLECTOR