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Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01. | MRF392

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Marca: SYSCOM
Modelo: MRF392
• Transistor NPN de silicio para alta frecuencia
• Rango operativo de 30 a 500 MHz
• Tensión colector-emisor de 28 Vcc
• Ganancia de 10 dB con eficiencia 55%
• Potencia salida 125 W a 400 MHz
• Doble transistor en encapsulado push-pull

$ 4,238.50 más IVA 4238.5 MXN $ 4,238.50

Stock disponible: 1.0

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    Características Principales

    • Transistor de silicio NPN de alta frecuencia
    • Rango de frecuencias: 30-500 MHz
    • Tensión de colector-emisor hasta 28 Vcc
    • Ganancia de 10 dB para amplificación eficaz
    • Potencia máxima de salida: 125 Watt
    Máximos Permisibles
    • VCEO: 30 Vdc
    • VCBO: 60 Vdc
    • VEBO: 4.0 Vdc
    • IC: 16 Adc
    • PD: 270 Watts (a TC = 25°C)
    • Derate: 1.54 W/°C
    • Tstg: -65 a +150 °C
    • TJ: 200 °C
    Características Térmicas
    • RθJC: 0.65 °C/W
    Características Eléctricas
    • hFE: 40-100 (a IC = 1.0 Adc)
    • Cob: 75-95 pF
    Características de Operación
    • Ganancia: 8-10 dB
    • Eficiencia: 50-55%
    • VSWR: 30:1 sin degradación
    • Impedancia: 20 Ω
    Configuración
    • Dos transistores en un solo encapsulado
    • Configuración push-pull
    • Emisores comunes
    • Redes de adaptación de impedancia integradas
    • Metabolización de oro para alta confiabilidad
    Frecuencias de Operación
    • Frecuencia de prueba: 400 MHz
    • Rango de frecuencia: 30-500 MHz
    • Reducción de potencia: 10 W a 14 W
    • Tensión de prueba: 28 Vdc

    Aplicaciones

    • Amplificadores de señal RF
    • Sistemas de comunicación de banda ancha
    • Equipos de prueba y medición RF
    • Sistemas de radiodifusión
    • Amplificadores lineales de alta potencia
    Especificaciones de Prueba
    • Prueba de potencia: 125 W a 400 MHz
    • Prueba de eficiencia: 55% típico
    • Prueba de adaptación: VSWR 30:1
    • Prueba de impedancia: 20 Ω
    Impedancia Óptima
    • 100 MHz: 0.72 + j0.44 Ω
    • 225 MHz: 0.72 + j2.62 Ω
    • 400 MHz: 3.88 + j5.72 Ω
    • 450 MHz: 3.84 + j2.8 Ω
    • 500 MHz: 1.26 + j3.01 Ω
    Dimensiones
    • A: 22.60-23.11 mm
    • B: 9.52-10.03 mm
    • C: 6.65-7.16 mm
    • D: 1.60-1.95 mm
    • E: 2.94-3.40 mm