Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 7.5 Vcc | MRF-1517-T1
Marca: SYSCOM PARTS
Modelo: MRF-1517-T1
• Transistor RF tipo N de alta potencia
• Frecuencia máxima 520 MHz con 8 W
• Operación estable a 7.5 Vcc
• Ganancia de potencia de 11 dB
• Eficiencia del 55% en RF
• Diseño SMD para montaje superficial
El Transistor MRF1517T1 está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para aplicaciones de amplificador de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7,5 voltios
Rendimiento especificado @ 520 MHz,7.5 Volts.
- Potencia de salida 8 Watts.
- Ganancia de potencia 11dB.
- Eficiencia- 55%.
- Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie.
- Excelente estabilidad térmica.
- Capaz de manejar 20:1 VSWR, @ 9,5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación.
- Envase de plástico de montaje superficial de potencia RF.
