Módulo de Memoria DDR4 ECC Registered DIMM | 16GB | 2666 MHz | Compatible con Series FS y SA | Garantía de 5 Años. | D4RD2666-16G

https://ssmadretierra.com/web/image/product.template/9671/image_1920?unique=9a057c7

Marca: SYNOLOGY
Modelo: D4RD2666-16G
• DDR4 ECC Registered DIMM para máxima fiabilidad
• Capacidad de 16GB para cargas intensivas
• Velocidad de 2666 MHz para rendimiento eficiente
• Compatible con series FS y SA de Synology
• Módulos idénticos requeridos para configuraciones múltiples
• Diseñado para servidores NAS empresariales

24,145.44 más IVA 24145.44 MXN 24,145.44

Stock disponible: 1.0

24,145.44

    Esta combinación no existe.

    El módulo de memoria DDR4 ECC Registered DIMM de Synology ofrece una solución de memoria confiable y de alto rendimiento para servidores NAS de las series FS y SA. Diseñado para garantizar la estabilidad del sistema, este módulo de 16GB con una velocidad de 2666 MHz es ideal para entornos empresariales que requieren un rendimiento óptimo y una gestión de errores avanzada.

    Características Principales

    • DDR4 ECC Registered DIMM para mayor fiabilidad y corrección de errores
    • Capacidad de 16GB para manejar cargas de trabajo intensivas
    • Velocidad de 2666 MHz para un rendimiento rápido y eficiente
    • Compatibilidad con las series FS (FS6400, FS3600, FS3400) y SA (SA3600, SA3400)
    • Garantía de 5 años para mayor tranquilidad

    Detalles Técnicos

    Especificaciones
    • Tipo de memoria: DDR4 ECC Registered DIMM
    • Capacidad: 16GB
    • Velocidad: 2666 MHz
    • Garantía: 5 años
    Compatibilidad
    • Series FS: FS6400, FS3600, FS3400
    • Series SA: SA3600, SA3400

    Aplicaciones y Casos de Uso

    Almacenamiento Empresarial

    Ideal para servidores NAS empresariales que requieren alta capacidad y fiabilidad.

    Virtualización

    Perfecto para entornos virtualizados que necesitan un rendimiento constante y gestión de errores.

    Backup y Recuperación

    Garantiza la integridad de los datos en operaciones críticas de backup y recuperación.