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Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N). | B2114

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Marca: TPL COMMUNICATIONS
Modelo: B2114
• Tecnología MOSFET de canal N lateral
• Potencia de salida 70 W a 470 MHz
• Eficiencia del 60% con VDD de 12.5 VDC
• Capacidad VSWR de 20:1 para alta robustez
• Paquete plástico TO-272-8 resistente a 200°C
• Ganancia de 11.5 dB en banda 135-520 MHz

$ 2,370.10 más IVA 2370.1 MXN $ 2,370.10

Stock disponible: 6.0

$ 2,370.10

    Esta combinación no existe.

    Características Principales

    • Frecuencia de operación: Hasta 470 MHz
    • Potencia de salida: 70 Watts
    • Tensión de alimentación: 12.5 Vdc
    • Ganancia: 11.5 dB
    • Eficiencia: 60%
    • Tecnología: MOSFET de canal N lateral
    • Capacidad para manejar VSWR de 20:1
    • Paquete plástico capaz de 200°C
    • Cumple con RoHS (sufijo N para terminales libres de plomo)

    Aplicaciones

    • Equipos de comunicación móvil FM
    • Amplificadores de señal RF
    • Equipos industriales y comerciales
    • Sistemas de radiofrecuencia

    Características de Diseño

    • Estabilidad térmica excelente
    • Parámetros de impedancia equivalente en serie
    • Disponibilidad de información del amplificador de demostración
    • Paquete plástico TO-272-8
    • Disponible en formato de cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm)
    Ratings Máximos
    • Voltage D-S: +0.5 a +40 Vdc
    • Voltage G-S: ±20 Vdc
    • Disipación: 165 W @ 25°C
    • Derating: 0.5 W/°C sobre 25°C
    • T. Almacenamiento: -65 a +150 °C
    • T. Unión: 200 °C
    Características Térmicas
    • RθJC: 0.29 °C/W
    Protección ESD
    • Modelo Humano: Clase 1 (Mínimo)
    • Modelo Máquina: M2 (Mínimo)
    • Modelo Carga Dispositivo: C2 (Mínimo)
    Sensibilidad a la Humedad
    • Estándar: JESD22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
    • Nivel: 3
    • Temperatura pico: 260 °C
    Características OFF
    • IDSS: Máx 1 μA (VDS = 60 Vdc, VGS = 0 Vdc)
    Características ON
    • VGS(th): 1 a 3 Vdc (VDS = 12.5 Vdc, ID = 0.8 mAdc)
    • VDS(on): Máx 1 Vdc (VGS = 10 Vdc, ID = 2.0 Adc)
    Características Dinámicas
    • Ciss: Máx 500 pF
    • Coss: Máx 250 pF
    • Crss: Máx 35 pF
    Características RF
    • Ganancia: 11.5 dB
    • Eficiencia: 60%

    Frecuencias de Operación

    • 135-175 MHz
    • 400-470 MHz
    • 450-520 MHz

    Configuración del Amplificador

    • Amplificador de fuente común
    • Polarización de compuerta y drenaje
    • Redes de entrada/salida con microstrip
    • Componentes pasivos de RF

    Condiciones de Prueba

    • VDD = 12.5 Vdc
    • IDQ = 800 mA
    • Frecuencia de prueba: 470 MHz
    • Pout = 70 W
    • Pin = 36-38 dBm

    Componentes de Prueba

    • Condensadores de chip de 100 mil
    • Inductores de 1 a 2 vueltas
    • Resistencias de chip (1206)
    • Beads de ferrita
    • Microstrip de diferentes dimensiones
    • Condensadores electrolíticos

    Condiciones Ambientales

    • Temperatura de prueba: 25°C
    • Temperatura de almacenamiento: -65 a +150 °C
    • Temperatura de operación: Hasta 200 °C