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Transistor Bipolar NPN SD1275-01, 160 MHz, 13.6 Vcc, 40 Watt. | B2-223

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Marca: TPL COMMUNICATIONS
Modelo: B2-223
• Transistor bipolar NPN de alta frecuencia 160 MHz
• Potencia de salida de 40 Watt
• Operación a 13.6 VCC estable
• Diseño compacto y eficiente térmicamente
• Rendimiento confiable en aplicaciones RF avanzadas
• Impedancia Zin 1.0 + j0.4 a 160 MHz

$ 2,750.70 más IVA 2750.7000000000003 MXN $ 2,750.70

Stock disponible: 4.0

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    Esta combinación no existe.

    Características Principales

    • Transistor bipolar NPN de alta frecuencia 160 MHz
    • Potencia de salida de 40 Watt
    • Operación a 13.6 VCC estable
    • Diseño compacto y eficiente térmicamente
    • Rendimiento confiable en aplicaciones RF avanzadas

    Especificaciones Básicas

    • Tipo: Transistor bipolar NPN
    • Frecuencia: 160 MHz
    • Tensión de alimentación: 13.6 VCC
    • Configuración: Emisor común
    • Aplicación: Comunicaciones VHF
    Límites Máximos
    • VCBO: 36 V
    • VCEO: 16 V
    • VCES: 36 V
    • VEBO: 4.0 V
    • IC: 8.0 A
    • PDISS: 70 W
    • TJ: +200 °C
    • TSTG: -65 a +150 °C
    Especificaciones Dinámicas
    • POUT: 40 W (f=160 MHz, PIN=5.0 W, VCE=13.6 V)
    • GP: 9 dB (f=160 MHz, PIN=5.0 W, VCE=13.6 V)
    • COB: 95 pF (f=1 MHz, VCB=15 V)
    Especificaciones Estáticas
    • BVCES: 36 V (IC=15 mA, VBE=0 mA)
    • BVCEO: 16 V (IC=50 mA, IB=0 mA)
    • BVEBO: 4.0 V (IE=5 mA, IC=0 mA)
    • ICBO: 5 mA (VCB=15 V, IE=0 mA)
    • hFE: 20 (VCE=5 V, IC=250 mA)
    Datos Térmicos
    • RTH(j-c): 1.2 °C/W

    Datos de Impedancia

    • ZIN (Ω): 1.0 + j 0.4 (160 MHz)
    • ZCL (Ω): 2.3 + j 0.1 (160 MHz)

    Nota: PIN = 3.0 W; VCE = 12.5 V

    Conexiones

    • 1: Colector
    • 2: Emisor
    • 3: Base
    • 4: Emisor

    Dimensiones Mecánicas (M113)

    • A: 5.59-5.84 mm (0.220-0.230')
    • B: 19.94 mm (0.785')
    • C: 18.29-18.54 mm (0.720-0.730')
    • D: 24.64-24.89 mm (0.970-0.980')
    • E: 9.78 mm (0.385')

    Dimensiones Mecánicas (M113) Cont.

    • F: 0.10-0.15 mm (0.004-0.006')
    • G: 2.16-2.67 mm (0.085-0.105')
    • H: 4.06-4.57 mm (0.160-0.180')
    • I: 7.11 mm (0.280')
    • J: 6.10-6.48 mm (0.240-0.255')

    Rendimiento Típico

    • Diseño con geometría de emisor amortiguado para soportar condiciones extremas de desadaptación de carga
    • Características eléctricas especificadas a 25°C
    • Paquete plástico encapsulado con epoxi
    • Frecuencia de operación: hasta 160 MHz
    • Tensión de colector-emisor: 16 V (máx.)

    Aplicaciones

    • Sistemas de comunicación VHF
    • Amplificadores de potencia RF
    • Equipos de radio móvil
    • Transmisores de alta frecuencia
    • Sistemas de comunicación de alta confiabilidad

    Información de Pedido

    • Código de pedido: SD1275-01
    • Marcaje: SD1275-1
    • Paquete: M113
    • Embalaje: Bandejas plásticas

    Datos Adicionales

    • Revisión: 2
    • Fecha de revisión: Mayo 2004
    • Tipo de transistor: Silicio epitaxial
    • Clase de operación: Clase C