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Diodo de Conmutación, I fwd. 300 mA, Vrev 75 V, 0. 5 Watt, Tiempo de Recuperación 4.0 nS, Empacado DO-35. | 1N4148

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Marca: SYSCOM
Modelo: 1N4148
• Corriente directa de 300 mA para alta eficiencia
• Voltaje inverso máximo de 75 V
• Disipación de potencia de 0.5 W
• Tiempo de recuperación inversa de 4.0 ns
• Empaque DO-35 (DO-204AH) compacto y estándar
• Capacitancia total de 4.0 pF a 1 MHz

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Stock disponible: 12.0

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    Características Principales

    • Corriente directa (IF) de 300 mA
    • Voltaje inverso máximo (VRRM) de 75 V
    • Disipación de potencia (PD) de 0.5 W
    • Tiempo de recuperación inversa (trr) de 4.0 ns
    • Empaque tipo DO-35 (DO-204AH)
    Especificaciones Eléctricas
    • Corriente directa máxima: 300 mA
    • Corriente inversa: 5.0 μA (VR=75V)
    • Voltaje de ruptura: 75 V (IR=5.0 μA)
    • Voltaje directo: 1.0 V (IF=10 mA)
    • Capacitancia total: 4.0 pF (VR=0, f=1.0 MHz)
    Especificaciones Mecánicas
    • Tipo de empaque: DO-35 (DO-204AH)
    • Peso: 0.137 gramos
    • Dimensiones: 4.56 x 1.91 mm (diámetro x longitud)
    • Material: Vidrio hermético
    • Marcaje: Banda negra en cátodo
    Especificaciones Térmicas
    • Temperatura de almacenamiento: -65°C a +200°C
    • Temperatura de operación: -55°C a +175°C
    • Resistencia térmica: 300°C/W

    Aplicaciones Típicas

    • Circuitos de conmutación de alta velocidad
    • Rectificación en fuentes de alimentación
    • Protección contra polaridad inversa
    • Circuitos de detección de señales
    • Conmutación en circuitos digitales
    Condiciones Límite
    • Corriente de pico no repetitivo: 4.0 A (1.0 μs)
    • Corriente promedio rectificada: 200 mA
    • Temperatura de unión: -55°C a +175°C
    Información de Almacenamiento
    • Temperatura de almacenamiento: -65°C a +200°C
    • Humedad: 85% RH a 85°C (prueba de humedad)